中芯集成-U取得晶圆风险曝光区域识别技术专利提升晶圆加工的成品率

　　专利摘要显示，本申请涉及一种晶圆风险曝光区域的识别方法、系统和存储介质。该方法包括：获取曝光设备上光照区域的尺寸信息和待曝光的晶圆半径；确认光照区域的第一中心坐标和晶圆的第二中心坐标，获取两个中心坐标的偏移量；获取光照区域中曝光区域的所有角点坐标；基于光照区域的尺寸信息、晶圆半径、偏移量、角点坐标计算每个角点至晶圆边缘的距离；根据角点至边缘的距离确定曝光区域的种类，并确认晶圆上风险曝光区域的数量，其中曝光区域的种类包括风险曝光区域和无风险曝光区域。本申请能够有效识别晶圆上的风险曝光区域，从而提升晶圆加工的成品率。